无线充SoC方案，除集成芯片外，外围 Mos 外置，性能较高，可以灵活配置驱动能力，调整 MOSFET 驱动的死区时间和驱动能力来优化EMI，甚至可以在内部 MOSFET 驱动和Mosfet gate 之间串接电阻来进一步解决 EMC 问题，从而便于各种版型的 TX 通过 EMI 认证，能较好的适应和满足当前主流无线充电产品的需求，以较优的价格，实现最佳的性能。
HC5808L高集成SoC发射芯片，是一款高度集成的无线功率发射器SOC解决方案，包含数字微控制器和模拟前端（AFE）。AFE包括全桥功率mosfet、电流传感放大器、通信解调器、线性调节器和保护电路等功能，一颗芯片实现所有功能，集成度高，外围只需MOS和阻容器件，可有效控制成本和精简生产流程，降低BOM成本。
MCU主控+PowerStage智能功率全桥方案，与SoC不同的是，这类方案的PowerStage智能功率全桥，将驱动和MOS集成为一颗，两者优势各自不同，对于这种方案，我们可以把它理解为是MCU向全集成SoC过渡的一种方案。